Niet-conventionele/speciale materialen
Pakketten van aluminiumlegeringen
KORTE BESCHRIJVING:
De voordelen van aluminiumlegering zijn het lichte gewicht, de robuuste sterkte en het gemak waarmee het kan worden gevormd.Als zodanig wordt het veel gebruikt bij de productie van elektronische verpakkingen.
BELANGRIJKSTE KENMERKEN:
Hoge thermische geleidbaarheid
•Lage dichtheid
•Goede platbaarheid en verwerkbaarheid, draadsnijden, slijpen en vergulden van het oppervlak kunnen worden uitgevoerd.
| MODEL | COEFFFICINT VAN THERMISCHE UITBREIDING/×10-6/K | THERMISCHE GELEIDENDHEID/W·(m·K)-1 | DE DICHTHEID VAN/g·cm-3 |
| A1 6061 | 22.6 | 210 | 2.7 |
| A1 4047 | 21.6 | 193 | 2.6 |
Aluminium Silicium Metaal Pakketten
KORTE BESCHRIJVING:
Si/Al-legeringen voor elektronische pakketten verwijzen voornamelijk naar eutectische legeringsmaterialen met een siliciumgehalte van 11% tot 70%.De dichtheid is laag, de thermische uitzettingscoëfficiënt kan worden aangepast aan de chip en het substraat en het vermogen om warmte af te voeren is uitstekend.De bewerkingsprestaties zijn ook ideaal.Als gevolg hiervan hebben Si/Al-legeringen een enorm potentieel in de elektronische verpakkingsindustrie.
BELANGRIJKSTE KENMERKEN:
•Snelle warmteafvoer en hoge thermische geleidbaarheid kunnen de warmteafvoerproblemen oplossen die inherent zijn aan de ontwikkeling van krachtige apparaten.
•De thermische uitzettingscoëfficiënt is regelbaar, wat het mogelijk maakt om die van de chip te evenaren, waardoor overmatige thermische spanning wordt vermeden die apparaatstoringen kan veroorzaken.
•Lage dichtheid
| CE-legeringsaanduiding: | Legering samenstelling: | CTE (ppm/℃，25-100℃) | Dichtheid, g/cm3 | Thermische geleidbaarheid bij 25℃ W/mK | Buigsterkte (MPa) | Opbrengststerkte (MPa) | Elastische modulus (GPa) |
| CE20 | Al-12%Si | 20 | 2.7 | ||||
| CE17 | Al-27%Si | 16 | 2.6 | 177 | 210 | 183 | 92 |
| CE17M | Al-27%Si* | 16 | 2.6 | 147 | 92 | ||
| CE13 | Al-42%Si | 12.8 | 2.55 | 160 | 213 | 155 | 107 |
| CE11 | Si-50%Al | 11 | 2,5 | 149 | 172 | 125 | 121 |
| CE9 | Si-40%Al | 9 | 2.45 | 129 | 140 | 134 | 124 |
| CE7 | Si-30%Al | 7.4 | 2.4 | 120 | 143 | 100 | 129 |
Diamant/koper, diamant/aluminium
KORTE BESCHRIJVING:
Diamant/koper en diamant/aluminium zijn composietmaterialen met diamant als versterkende fase en koper of aluminium als matrixmateriaal.Dit zijn zeer concurrerende en veelbelovende elektronische verpakkingsmaterialen.Voor zowel diamant/koper als diamant/aluminium metalen behuizing is de thermische geleidbaarheid van het chipgebied ≥500W/(m•K)-1, wat voldoet aan de prestatie-eisen van hoge warmteafvoer van het circuit.Met de continue uitbreiding van het onderzoek zullen dit soort woningen een steeds belangrijkere rol gaan spelen op het gebied van elektronische verpakkingen.
BELANGRIJKSTE KENMERKEN:
•Hoge thermische geleidbaarheid
•De thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) kan worden geregeld door de massafractie van de diamant- en Cu-materialen te veranderen
•Lage dichtheid
•Goede platbaarheid en verwerkbaarheid, draadsnijden, slijpen en vergulden van het oppervlak kunnen worden uitgevoerd
| MODEL | COEFFFICINT VAN THERMISCHE UITBREIDING/×10-4/K | THERMISCHE GELEIDENDHEID/W·(m·K)-1 | DE DICHTHEID VAN/g·cm-3 |
| DIAMANT60%-KOPER40% | 4 | 600 | 4.6 |
| DIAMANT40%-KOPER60% | 6 | 550 | 5.1 |
| DIAMANT ALUMINIUM | 7 | >450 | 3.2 |
AlN-substraat
KORTE BESCHRIJVING:
Aluminiumnitride keramiek is een technisch keramisch materiaal.Het heeft uitstekende thermische, mechanische en elektrische eigenschappen, zoals een hoge elektrische geleidbaarheid, een kleine relatieve diëlektrische constante, een lineaire uitzettingscoëfficiënt die overeenkomt met silicium, uitstekende elektrische isolatie en een lage dichtheid.Het is niet giftig en sterk.Met de wijdverbreide ontwikkeling van micro-elektronische apparaten, is aluminiumnitride-keramiek als basismateriaal of voor de behuizing van het pakket steeds populairder geworden.Het is een veelbelovend high-power substraat voor geïntegreerde schakelingen en verpakkingsmateriaal.
BELANGRIJKSTE KENMERKEN:
•Hoge thermische geleidbaarheid (ongeveer 270W/m•K), dicht bij BeO en SiC, en meer dan 5 keer die van Al2O3
•De thermische uitzettingscoëfficiënt komt overeen met Si en GaAs
• Uitstekende elektrische eigenschappen (relatief kleine diëlektrische constante, diëlektrisch verlies, volumeweerstand, diëlektrische sterkte)
•Hoge mechanische sterkte en ideale bewerkingsprestaties
•Ideale optische en microgolfkarakteristieken
•Niet giftig
